脱碳已经成为全球的趋势，在我国双碳政策下，也即“碳达峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏发电逐渐成为瞩目的焦点，倾佳电子持续提供高品质功率半导体新能源汽车连接器，在新能源汽车电控，充电桩，汽车OBC，新能源发电，工商业储能变流器，电动汽车电机主驱，光伏逆变器，储能变流器PCS，工业电源等领域与客户深入合作，持续服务客户的供应链及新产品开发，全力支持中国新能源汽车及电力电子工业发展！
近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器，数据中心、通讯基站电源、新型电力系统等领域拓展市场。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。倾佳电子-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销的元器件在电力电子领域，在功率器件方面发挥重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对现有封装技术提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN在导通损耗和开关损耗方面的卓越性能，可以大大降低电力电子方面应用的能耗。
随着汽车越来越智能化，对于连接器在未来的智能汽车上，绝不会仅仅作为一个电连接点进行传输，这个和传统汽车会有非常本质上的区别， 未来的连接器有可能会变成模块化，其功能会随着不同的汽车部位应用场景，功能也会有所不同；同时智能驾驶的出现会让连接对于传输的稳定性变成强制条件，对于电性能的可靠性，以及QT性能都会提到更高一个要求等级；倾佳电子-专业代理的汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN引导电源技术转向新的高功率密度和效率、高耐热性能的解决方案，以减少导通损耗和碳排放。在整个能源转换链中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在很多电力电子应用场景中为能效提升作出贡献。
智能驾驶系统需要将超声波雷达、毫米波雷达、摄像头、激光雷达、网关、VCU、天线、GPS、5G 通信等进行互连。随着高级别ADAS的渗透率快速提升，车载传感器用量增加，数据传输要求(高速高频大数据量)相应提高，智能网联连接器使用量也随之增长。换电连接器有望成为行业标配，一方面因为换电模式电动车渗透率的提升，另一方面对于非换电模式的电动车厂家采用换电方案将实现车电分离，有利于后期电池的升级、维护和回收。未来大量电动车电池淘汰后，有望进入储能领域进行二次利用，建立统一的连接器接口标准成为行业的重点。非补能形式的换电方案的车型将越来越多，未来成为行业标配。
为了提高补能效率，大功率快充成为各车企的研发重点。相较于400V架构，切换800V架构能够使充电时间减少一半。从400V增至 800V对连接器的可靠性、体积和电气性能提出了更高要求，其在机械性能、电气性能、环境性能三方面均将持续提升。升压后，高压连接器将重新选型，增加大功率快充接口及400V到800V的转化接口，带动高压连接器单车价值量上升。要构建800V高压平台，碳化硅功率器件是关键。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有出色的耐高压性能，并能有效提高系统的整体效率，达到5%至10%的增幅——即同等电池容量，配备碳化硅器件的汽车续航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸约为硅器件的1/10，因而它还能降低电驱系统的体积和重量，从而释放更多车辆内部空间。尽管 SiC MOSFET 本身成本较高，但会看到整个电机驱动器系统的价格下降（通过减少布线、无源元件、热管理等），并且与 Si IGBT 系统相比总体上可能更便宜。这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析，但可能会提高效率并节省成本。
新能源汽车三电内部动力电流及信息电流错综复杂，同时又因汽车领域特殊的安全性要求，对连接器性能侧重点为高电压、大电流、抗干扰等电气性能，并且需要具备机械寿命长、抗振动冲击等长期处于动态工作环境中的良好机械性能。
基于 SiC 的逆变器使电压高达 800 V 的电气系统能够显着延长电动汽车续航里程并将充电时间缩短一半。在全球汽车电动化的浪潮下，汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件，成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代，开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。在电机控制器中用碳化硅MOS替换硅基IGBT后，会获得电机控制器的效率的提升，NEDC工况下，对电池续航的贡献提升在3%-8%之间，所以电控应用对碳化硅器件的需求最为迫切。同时，在国内新能源汽车市场大力推进适应高压快充技术的高压平台上，硅基IGBT应对起来就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。这更加确定了碳化硅功率器件在下一代电控系统中的核心和不可替代性地位。目前新的设计SiC模块的设计方向是结构紧凑更紧凑，通过采用双面银烧结和铜线键合技术，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，努力往低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性等方向努力。通过好的设计和先进的工艺技术确保碳化硅MOSFET性能优势在设备中得到最大程度发挥。