时 间：2022年8月23～25日
地点：深圳国际会展中心(新馆)
前景
氧化是在800-1250℃高温的氧气和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜。热氧化层中重要的闸极氧化层(Gateoxide)与场氧化层(Fieldoxide)即以此方法形成。根据反应气体的不同，氧化工艺通常分为干氧氧化和湿氧氧化两种方式。干氧氧化制备的二氧化硅结构致密，厚度均匀，对于注入和扩散的掩蔽能力强，工艺重复性强，其缺点是生长速率较慢。这种方法一般用于高质量的氧化，如栅介质氧化、薄缓冲层氧化，或者在厚层氧化时用于起始氧化和终止氧化。
在湿氧工艺中，可在氧气中直接携带水汽，也可以通过氢气和氧气反应得到水汽，通过调节氢气或水汽与氧气的分压比改变氧化速率。湿氧氧化由于反应气体中同时存在氧气和水汽，而水汽在高温下将分解为氧化氢(HO)，氧化氢在氧化硅中的扩散速率比氧快得多，所以湿氧氧化速率比干氧氧化速率高约一个数量级。2022深圳国际半导体氧化设备展览会，邀请国内外专家与参会代表前来互动交流，探讨行业发展趋势，分享各自取得的经验成果，届时，热忱欢迎国内外的半导体企业相关行业人士前来参观与交流。
展示范围
1、半导体材料：单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料等；
2、半导体设备：半导体封装设备、半导体扩散设备、半导体焊接设备、半导体清洗设备、半导体测试设备、半导体制冷设备、半导体氧化设备等；
3、半导体分立器件产品与应用技术等；
4、半导体光电器件；
5、IC产品与应用技术、IC测试方法与测试仪器、IC设计与设计工具、IC 制造与封装；
6、集成电路终端产品；
